2015年8月8日土曜日

<h1 itemprop="name">東芝が48層構造を持つメモリ半導体「3次元フラッシュメモリ」を開発

あるAnonymous Coward 曰く、

東芝が48層積層プロセスを用いた、世界初という容量256Gbの「3次元フラッシュメモリ」を開発したと発表した(産経新聞)。

1チップで256Gb(=32GB)を実現したほか、書き込む速度の高速化や高寿命化なども計られているという。

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